C-MOS和结型场效应管的特点介绍

2017年03月18日 14:27:32  来源:长沙彩虹财务顾问有限公司
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C-MOS场效应管(增强型MOS场效应管)
C-MOS场效应管电路把一个增强型P沟道MOS场效应管与一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时P沟道MOS场效应管导通,输出端和电源正极接通。当输入端为高电平时N沟道MOS场效应管导通,输出端和电源地接通。在该电路中P沟道MOS场效应管与N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端与输出端相反。通过这种工作方式能够获得较大的电流输出。同时因为漏电流的影响使得栅压在还没有到0V,一般在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既会被关断。不同场效应管其关断电压稍有不同。因此使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

结型场效应管(JFET)
结型场效应管有两种结构形式分别是N沟道结型场效应管与P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极。
电路符号中栅极的箭头
场效应管
场效应管
方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化,就是说,场效应管是电压控制元件。

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